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  • 类单晶硅片
  • 多晶硅片
  • 单晶硅片
  • 材料特性
    生长方式 定向凝固
    晶向 <100>±10°
    掺杂剂及型号 P/Boron
    氧含量 ≤5.0×1016atoms/cm3
    碳含量 ≤1.0×1017atoms/cm3
    位错密度 ≤3000pcs/ cm3
    电阻率 1-3.0ohm-cm
    几何尺寸
    外形 方形
    中心厚度 180±10um
    总厚度变化 ≤30um
    翘曲度 <50um
    边长 156±0.5mm
    倒角对角线 1.5±0.5mm
    刀痕 深度≤15um
    表面质量 表面清洁,无油污

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